L-elementi ta' realizzazzjoni teknika tal-metodu ta' rilaxx ta' wara CMOS għall-istruttura sensittiva tar-raġġ trasversali għall-idrofoni vector MEMS:

Elementi ta' implimentazzjoni teknika:

5. Sabiex issolvi l-problema tat-tlestija tar-rilaxx ta 'l-istruttura taħt il-premessa li tkun kompatibbli ma' cmos billi tuża l-proċess mems, l-invenzjoni preżenti tipprovdi metodu ta 'rilaxx ta' wara cmos għall-istruttura sensittiva tar-raġġ trasversali ta 'l-idrofonu tal-vettur mems.

6. L-invenzjoni preżenti tinkiseb permezz tas-soluzzjonijiet tekniċi li ġejjin: metodu għar-rilaxx ta 'cmos wara struttura sensittiva tar-raġġ trasversali orjentata għal idrofonu tal-vettur mems, li jinkludi l-passi li ġejjin: pass (1) tindif organiku taċ-ċippa cmos biex tneħħi l-impuritajiet tal-wiċċ; għażla taċ-ċippa cmos, orjentazzjoni tal-kristall "100", sottostrat tat-tip p, saff ta 'passivazzjoni tan-nitrur tas-silikon fiż-żona tal-mems tal-wiċċ ġie mfassal fil-proċess cmos.

7. Pass (2) Inċiżjoni tas-silikon fil-fond tas-silikon tas-sottostrat, bl-użu tas-saff ta 'passivazzjoni tan-nitrur tas-silikon bħala maskra biex titnaqqas is-silikon espost; fond tas-silikonju inċiżjoni jista

Ikkuntatjana:

Email: zhang@pride-cnc.com

Tel: flimkien ma' 86-755-23699351

Mob: flimkien ma' 8618666663894